DRAM - systemy pamięci

DRAM (Dynamic Random Access Memory) znana także jako pamięć systemowa, charakteryzuje się bardzo wysoką wydajnością odczytu i zapisu danych. Jedną z zalet tego rozwiązania jest szybkość działania oraz swobodny dostęp, który umożliwia korzystanie z poszczególnych danych. Wady to zmienność i wyższa cena niż w przypadku produktów opartych na NAND.

Produkty DRAM

Moduł technologiczny DRAM koncentruje się na integracji know-how w przemyśle półprzewodników i wykorzystuje najbardziej wiarygodne i pewne komponenty, aby zapewnić optymalną wydajność i funkcjonalność. Poniżej przybliżamy te standardy pamięci, które oferuje m.in. firma ATP.

DDR4

Moduł ATP DDR4 jest ewolucyjnym przejściem od DDR3, wspierającym cechy i funkcje, które oferują mniejszą moc, wyższą wydajność i lepszą jakość względem wcześniejszych produktów DRAM. Funkcje obsługiwane przez DDR4 doskonale nadają się dla klientów, którym zależy na zwiększeniu możliwości przepustowości ich sprzętu w celu wsparcia wzrostu ruchu internetowego.

DDR3

Generacja pamięci DDR3 pozwala na przesyłanie danych przez porty I/O z prędkością osiem razy szybszą niż częstotliwość taktowania pamięci. ATP oferuje DDR3 SDRAM w szerokiej gamie obudów, w tym SODIMM i Minnie-DIMM. Moduły DDR3 firmy ATP dostarczają również wyższą przepustowość pamięci i niższe zużycie energii.

DDR3 SDRAM jest obsługiwane przez najnowszy procesor i chipset, takie jak serii Intel Core i7, procesor AMD AM3 Phenom i najnowsze chipsety AMD Embedded Enterprise. Moduły DDR3 nie są kompatybilne z pinami modułów poprzedniej generacji i niemożliwe jest wpięcie DDR3 do niekompatybilnych gniazd.

Oprócz standardowej oferty linia produktów DDR3 zwiększyła niezawodności o takie opcje jak powłoki ochronne. Rozwiązanie ATP Ultimate 16GB DDR3 cechuje się niskim poborem mocy (1.35V), wysoką prędkością (1600 MHz) i niezawodnością oraz niskim kosztem. Moduły DRAM idealnie nadają się do serwerów Intel Atom, platform AMD DDR3 i wysokiej wydajności aplikacji komputerowych.

DDR2

Prędkość zegara pamięci przemysłowej DDR2 SDRAM została zmniejszona o połowę w porównaniu z generacją DDR1 dla danej prędkości magistrali. Zmiana ta spowodowała wzrost prędkości magistrali o równoważnej częstotliwości taktowania pamięci, kosztem zwiększenia opóźnienia. Napięcie zostało obniżone z 2,5 V do 1,8 V, aby zmniejszyć zużycie energii.

Moduły DDR2 DIMM są dostępne w różnych wersjach, w tym 240 pin full-sized DIMM, 200 pin So-DIMM, 240 pin Very Low Profile (VLP) DIMM, 244 pin Mini-DIMMs, a także 240 pin FB-DIMMs. Wersje te nie są kompatybilne z obudowami DDR lub DDR3.

DDR

Moduł DDR (Double Data Rate) DRAM, także znany jako DDR1, stał się standardem JEDEC w 2000 roku i był to znaczący postęp w stosunku do technologii SDRAM, zwiększał on przepustowość pamięci i wydajności.

Moduły DDR DRAM także zaoszczędzają energie ponieważ pracują na zasilaniu 2.5 lub 2.6 V, czyli na niższych napięciach niż poprzednie moduły SDRAM. Generacja pamięci DDR3 pozwala na przesyłanie danych przez porty I/O z prędkością osiem razy szybszą niż częstotliwość taktowania pamięci.

SDRAM

SDRAM (Synchronous DRAM) to wspólne określenie dla PC100 i PC133 SDRAM. ATP obsługuje szereg opcji, takich jak 168-pin full-sized DIMM i 144-pin SODIMM, w tym: RDIMM, ECC UDIMM, VLP, SO-UDIMM i UDIMM.

Firmie ATP niezwykle zależy na dostarczaniu klientom produktów, które cechuje duża niezawodność i najwyższa jakość, w związku z tym ATP oferuje niestandardowe usługi badań, tak aby oferowane przez nich rozwiązania sprostały specyficznym wymaganiom różnorodnych aplikacji.