Moduły IGBT o zwiększonej częstotliwości przełączania firmy Toshiba

Firma TOSHIBA zaprezentowała nową rodzinę modułów IGBT przeznaczoną do aplikacji wymagających wysokich częstotliwości przełączania, w tym do urządzeń podtrzymujących zasilanie (UPS). Oznaczenia kodowe urządzeń są następujące: MG100Q2YS65H, MG150Q2YS65H, MG200Q2YS65H i MG400Q1YS65H i odpowiadają kolejnym progom prądowym tj. 100A, 150A, 200A i 400Aj. Moduły te należą do serii IGBT++ i pracują z częstotliwością przełączania do 50kHz. Nowe moduły charakteryzują się wysoką impedancją wejściową oraz izolacją wyprowadzeń od obudowy. Przeznaczone są do pracy przy napięciu 1200V dla kolejnych progów prądowych wymienionych powyżej. W urządzeniach tej serii zastosowano tranzystory krzemowe o wzbogaconym kanale N. Należy przy tym zaznaczyć, iż moduły na trzy pierwsze wartości prądów są zbudowane na bazie 2 tranzystorów IGBT, natomiast moduł na 400A jest oparty na pojedynczym tranzystorze IGBT. We wszystkich czterech modułach zaimplementowano na złączu kolektor-emiter każdego z tranzystorów diodę chroniącą ten element przed przepięciami. Struktury IGBT zamknięte są w obudowach typu F ( dla prądów 100A i 150A), typu G (dla 200A) i typu H (dla 400A). Charakterystyczna dla wszystkich typów tej serii jest niska wartość napięcia nasycenia VCE(sat) , która oscyluje wokół 3,6V. Napięcie przebicia wynosi 2500 V, natomiast współczynnik rozpraszania mocy waha się od 690W do 2650W ( dla modelu na 400A).