Przyspieszamy tranzystor

Zmodyfikowany MOSFET

Naukowcy z Uniwersytetu Fudan w Chinach odkryli sposób na przyspieszenie tradycyjnych tranzystorów. Możliwe jest to dzięki osadzaniu w nich tranzystorów typu TFET, korzystających z efektu tunelowania.

Współczesne komputery korzystają z tranzystorów MOSFET-FG. Posiadają one ograniczenie, które pozwoli najmniejszym z nich posiadać grubość przynajmniej kilku atomów. Dzięki wykorzystaniu tranzystorów TFET, ograniczenie to może zostać znacznie zredukowane.

Te urządzenia półprzewodnikowe wykorzystywane są w małych urządzeniach elektroenergetycznych. Chińscy badacze chcą je wykorzystać do kontroli elektrody zarządzającej przepływem prądu w MOSFET-ach.

Idea, z jaką naukowcy zabrali się do prac zakładała, że jeśli bramka tranzystora będzie przełączać się szybciej, szybciej będzie ona również działać. Chipy oparte na tych półprzewodnikach muszą wytworzyć ładunek, by bramkę otworzyć lub zamknąć. Zabiera to konkretną ilość czasu. Niskoenergetyczne TFET-y wymuszają mniejszą ilość ładunku do ich przesterowania, co znaczącą poprawia wydajność i energochłonność procesu.

Co jakiś czas słyszymy o nowych rodzajach tranzystorów – jednak ich produkcja wciąż oddala się w czasie. W przypadku pomysłu naukowców z Chin, bardzo prawdopodobne, że się to zmieni. Implementacja tranzystorów TFET w MOSFET-ach, bowiem jest obecnie w zasięgu technologicznym człowieka.

(rr)