SiC tanie jak krzem

Brytyjski startup Anvil Semicondutors rozwija technologię produkcji węglika krzemu (SiC) dla półprzewodnikowych urządzeń mocy. Może to prowadzić do rozwoju urządzeń oferujących wydajność układów SiC, które będą konkurencyjne cenowo dla urządzeń opartych o krzem.

Wysoka wydajność i oraz wysokie temperatury pracy urządzeń SiC w porównaniu do tych opartych o konwencjonalny krzem pozwala myśleć o ich zastosowaniu w napędach VSD. Jednakże wysokie koszty wytwarzania układów dotychczas skutecznie ogranicza ich ekspansję na rynku. Obecnie urządzenia SiC są wykorzystywane głównie w zastosowaniach niszowych, gdzie wyżej wymienione korzyści uzasadniają wysokie koszty inwestycyjne.

Firma , kierowana przez jednego z jej założycieli, dr Petera Warda, opracowała „unikalną" technologię produkcji warstw sześciennego SiC (3C- SiC) na podłożach krzemowych. Proces pozwoli zmniejszyć energochłonność procesu wytwarzania, redukując znacznie koszty.

Anvil Semicondutors otrzymał dotację w wysokości miliona funtów na rozwój i komercjalizację taniej technologii SiC, której możemy spodziewać się w najbliższych miesiącach.

(rr)