Mitsubishi Electric stawia na SiC

fot. pixabay

Firma Mitsubishi Electric Corporation ogłosiła, że podwoi wcześniej ogłoszony pięcioletni plan inwestycyjny do poziomu około 2 miliardów dolarów. Fundusze zostaną przeznaczone głównie na budowę nowej fabryki płytek w celu zwiększenia produkcji półprzewodników mocy z węglika krzemu (SiC).

Zgodnie z planem Mitsubishi Electric spodziewa się odpowiedzieć na szybko rosnące zapotrzebowanie na półprzewodniki mocy SiC do pojazdów elektrycznych, a także na rozwijające się rynki nowych zastosowań, w ramach których wymagane są niskie straty energii, praca w wysokich temperaturach lub szybkie przełączanie bramek. Plan umożliwi również Mitsubishi wniesienie dużego wkładu w globalny trend zielonej transformacji.

Około 760 milionów dolarów zostanie wykorzystane na budowę nowej fabryki 8-calowych płytek SiC, a także ulepszenie powiązanych urządzeń produkcyjnych. Nowa fabryka, która obejmie własny zakład w rejonie Shisui w prefekturze Kumamoto, będzie produkować 8-calowe wafle SiC, wprowadzi czyste pomieszczenia charakteryzujące się najlepszą na świecie efektywnością energetyczną oraz wysoki poziom zautomatyzowanej produkcji. Ponadto firma udoskonali swoje zakłady produkcyjne 6-calowych wafli SiC, aby sprostać rosnącemu zapotrzebowaniu również w tym sektorze.

Mitsubishi Electric zainwestuje także około 76 milionów dolarów w nową fabrykę, która skonsoliduje istniejące operacje, które są obecnie rozproszone w rejonie Fukuoki. Są to procesy z zakresu montażu i kontroli półprzewodników mocy. Integracja projektowania, rozwoju i weryfikacji technologii produkcji znacznie zwiększy możliwości rozwojowe firmy i ułatwi terminową produkcję masową w odpowiedzi na zapotrzebowanie rynku. Pozostałe fundusze zostaną przeznaczone na inne ulepszenia sprzętu, ustalenia dotyczące ochrony środowiska i powiązane operacje.

(rr)