Najszybszy tranzystor świata

Najszybszy tranzystor świata

Najszybszy tranzystor świata został opracowany przez dwóch naukowców, prawdopodobnie przecierających drogę dla nowej generacji super upakowanych układów scalonych.

Milton Feng i Walid Hafez z Uniwersytetu Illinois, opracowali bijący wszelkie rekordy tranzystor, przez dokładne mieszanie warstw z różnych materiałów półprzewodnikowych pod mikroskopem.

Feng i Hafez opracowali tranzystor długości poniżej pół tysięcznej milimetra, który pracuje z prędkością 640GHz. „To wyznacza nowe granice szybkości tranzystorów”, stwierdził Doug Barlage z Uniwersytetu Północna Karolina. „Ten tranzystor jest prawdopodobnie trzy razy szybszy, niż jakikolwiek krzemowy tranzystor.”

Warstwy tranzystora powstały przez zmieszanie dwóch półprzewodników: fosforku indu i arsenku indku galu. Najbardziej decydującym etapem prac było stworzenie struktury krystalicznej w kolektorze tak, aby elektrony mogły się łatwiej przedostawać, co zdecydowało o szybkości urządzenia. „Przez zwiększenie stężenia indu w materiale kolektora ruchliwość w materiale uległa zwiększeniu, co oznacza, że elektrony mogą się szybciej poruszać w obszarze kolektora”, stwierdził Hafez.

Hafez przypuszcza, że upłynie dłuższy czas nim nowy tranzystor będzie mógł być użyty w złożonych układach scalonych. „Jesteśmy wciąż daleko od stworzenia układu wykorzystującego nowy tranzystor” stwierdził. „Ale jak tylko opracujemy pierwszy układ, będziemy mogli zacząć pracować nad bardziej złożonymi”.

Barlage dodaje, że nowy materiał będzie się gorzej nadawał do produkcji tranzystorów MOS, które są bardzo popularne w dzisiejszych układach. Sugeruje jednak, że nie jest to absolutnie pewne.

Kevin Krewell, redaktor naczelny Microprocessor Report - czasopisma przemysłowego, uważa, że nowy materiał będzie idealny do zastosowań w odbiornikach radiowych. „Im wyższa częstotliwość pracy tym więcej danych może zostać przetworzonych” stwierdził.