Pamięci z nanorurek

Nantero rozwija pamięć następnej generacji opartą o nanorurki węglowe. NRAM ma szybkość podobną do DRAM, jest nieulotna i cechuje ją niski koszt produkcji.

Firma ma zamiar we współpracy z Fujitsu wprowadzić na rynek tę alternatywę już w nadchodzącym roku. 

Pamięci NRAM wykorzystują ładunek elektrostatyczny do aktywacji macierzy nanorurek, które łatwo można zintegrować w ramach dowolnego procesu CMOS. Ich twórca uważa, że przed takimi pamięciami stoją o wiele ciekawsze perspektywy, bo początkowo ich produkcja zacznie się w oparciu o technologię 28nm, osiągając przy tym pojemność 4 gigabitów.

Powszechnie uznaje się, że pamięci DRAM mogą nie przekroczyć bariery 64 gigabitów, natomiast z wykorzystaniem NRAM możliwe jest osiągnięcie 256 gigabitów w oparciu o czterowarstwową technologię 7nm.

(rr)