Polska metoda produkcji grafenu opatentowana

Polska metoda produkcji grafenu opatentowana

Metoda wytwarzania Grafenu Metalurgicznego o Wysokiej Wytrzymałości (HSMG) opracowana na Politechnice Łódzkiej wreszcie bezpieczna. Właśnie otrzymała międzynarodową ochronę patentową.

Mimo tego, że od wynalezienia tego materiału upłynęło sporo czasu, wciąż jego zastosowanie w nowoczesnej elektronice nie jest powszechne. Polacy na szczęście stworzyli grafen o strukturze najbardziej zbliżonej do tej, za którą przyznano Nagrodę Nobla. Możliwe jest to dzięki temu, że wytwarzany jest na ciekłym metalu.

Pozwala to na produkcję grafenu w klastrach o powierzchni kilku metrów kwadratowych, jednak wymaga to uzyskania dużego i płaskiego lustra ciekłego metalu. Należy więc utrzymać na matrycy produkcyjnej bardzo cienką warstwę metalu, na której przeprowadzane są później zabiegi chemiczne i cieplne. Taki grafen doskonale sprawdzi się przy produkcji kompozytów i innych materiałów konstrukcyjnych.

Pięć lat temu inny polski zespół naukowców z Instytutu Technologii Materiałów Elektronicznych w Warszawie opatentował technikę wytwarzania grafenu na podłożu z węglika krzemu. Ochronę patentową w Stanach Zjednoczonych uzyskał on w maju zeszłego roku. Pozwala ona na produkcję grafenu na potrzeby przemysłu elektronicznego, natomiast łódzki grafen ma bardziej uniwersalne zastosowania.

Jego produkcja w skali przemysłowej będzie prowadzona przez firmę Advanced Graphene Products na terenie Parku Naukowo-Technologicznego Uniwersytetu Zielonogórskiego.

(rr)