Powrót do listy wiadomości
Dodano: 2008-10-20 | Ostatnia aktualizacja: 2008-10-20
Układy przekształcania mocy oparte na azotku galu zastąpią te oparte na krzemie

Układy przekształcania mocy oparte na azotku galu zastąpią te oparte na krzemie
Wysoka wydajność epitaksji, czyli półprzewodnikowej techniki wzrostu nowych warstw monokryształu GaN na istniejącym podłożu krystalicznym Si, będąca na poziomie 150 milimetrów, a także kompatybilność dalszych procesów produkcyjnych z zakładami IR, umożliwia zaoferowanie klientom światowej klasy platform produkujących układy przeszktałcania mocy oparte na GaN.
„Ta rewolucyjna, oparta na GaN, platforma technologiczna w połączeniu z ofertą IR, umacniają jeszcze prymat firmy w zakresie urządzeń półprzewodnikowych, a także zwiastują nowa erę przekształtników.” – powiedział Oleg Khaykin, prezes IR. „Oceniamy, że potencjalny wpływ tej nowej platformy technologicznej na rynek przekształtników będzie porównywalny do wprowadzenia przez IR 30 lat temu technologii tranzystorów HEXFET.” – dodał.
Prototypy kilku nowych platform opartych na GaN Dostępne będą podczas targów Electronica, które odbędą się w Monachium w dniach 11 do 14 listopada 2008 roku.
(lk)
Kategoria wiadomości:
Z życia branży
- Źródło:
- International Rectifier

Komentarze (0)
Czytaj także
-
Kluczowa rola wycinarek laserowych w obróbce metali
Wycinarki laserowe zrewolucjonizowały przemysł obróbki metali, oferując niezwykłą precyzję i efektywność. Dowiedz się, dlaczego są one...
-
Elektroniczne zamki szafkowe na Uniwersytecie
Uniwersytet Ekonomiczny w Krakowie zdecydował się na wyposażenie uczelnienego basenu w szafki z zamkami elektronicznymi. Po zebraniu ofert,...
-
-
-
-
-