Mitsubishi Electric udoskonala technologię SiC

Mitsubishi Electric ogłosiło drugą generację modułów mocy z węglika krzemu (SiC) opartą na nowo opracowanym układzie, który ma doprowadzić do budowy mniejszych, lżejszych i bardziej wydajnych urządzeń energoelektronicznych stosowanych w różnych dziedzinach przemysłu, w tym w konstukcjach napędów o zmiennej prędkości.

Rodzina dwunastu modułów SiC, która ma zostać wprowadzona na rynek w styczniu przyszłego roku będzie obejmowała urządzenia zdolne do sterowania prądem do 1,2 kA przy napięciu nominalnym 1,2 kV.

Półprzewodniki mocy SiC cieszą się rosnącym zainteresowaniem ze względu na ich potencjał w zakresie ograniczania strat mocy i zwiększania efektywności energetycznej urządzeń do konwersji mocy. Mitsubishi rozwija moduły mocy wyposażone w układy z węglika krzemu od 2010 roku.

Japońskie przedsiębiorstwo twierdzi, że charakterystyka niskich strat mocy i pracy z wysoką częstotliwością nośną układów scalonych SiC-Mosfet oraz SiC-SBD w nowych modułach pomoże zmniejszyć straty o około 70% w porównaniu z konwencjonalnymi modułami IGBT na bazie krzemu. Zwiększona sprawność i wysokie częstotliwości nośne pozwolą również na zastosowanie mniejszych, lżejszych komponentów, takich jak dławiki i radiatory.

Ponadto zastosowana w modułach technologia domieszkowania tranzystorów polowych JFET, zmniejszy ich rezystancję o około 15% w porównaniu z wcześniejszymi modułami SiC Mitsubishi o tej samej wartości znamionowej. Niektóre z nowych modułów będą zawierać obwody sterowania RTC, które równoważą wydajność zwarciową z niską rezystancją. Obwody te pomogą tym samym ograniczać wysokie prądy zwarciowe.

Nowe moduły posiadają zoptymalizowany wewnętrzny rozkład chipów zaprojektowany w celu poprawy rozpraszania ciepła. Zdecentralizowane rozmieszczenie znacznie poprawi ten parametr, umożliwiając zastosowanie mniejszych lub pozbawionych wentylatorów chłodnic.

(rr)