Pierwszy 3-nanometrowy tranzystor

fot. pixabay

Samungowi udało się stworzyć prototyp pierwszego procesu produkcji 3-nanometrowych tranzystorów. Celem spółki jest osiągnięcie pozycji światowego lidera w produkcji półprzewodników do 2030 roku.

Proces oparty jest na technologii Gate All Around (GAAFET), która różni się od obecnego standardu branżowego FinFET. Zmiana metodologii produkcji pozwala zmniejszyć całkowity rozmiar krzemu o 35% przy jednoczesnym zmniejszeniu zużycia energii o 50%. Pozwala to na wzrost wydajności w porównaniu z 5-nanometrowym procesem FinFET na poziomie 33%.

W ramach GAAFET kanał został zabudowany z czterech stron. Zapewnia to zmniejszenie prądów upływu oraz polepsza nad nim kontrolę, co jest kluczowe podczas tak daleko posuniętej miniaturyzacji.

Samsung zapowiadał, że zastosuje 4-nanometrowy proces GAAFET już w 2020 roku, podczas gdy sceptycy negowali możliwość produkcji chipów GAAFET przed 2022 rokiem. Wszystko wskazuje jednak na to, że koreański gigant wprowadzi je do produkcji wcześniej niż początkowo się spodziewano.

(rr)