Plastikowa pamięć

Plastikowa pamięć

Badacze z Uniwersytetu Groningen w Holandii oraz naukowcy z Philips Research opracowali nowe organiczne tranzystory polowe, które używają jako dielektryka (warstwa izolująca pomiędzy bramką a kanałem w tranzystorze) w bramce polimeru ferroelektrycznego.

Ferroelektryki są materiałami, które mogą być przełączane pomiędzy dwoma rożnymi stanami „naładowania”, poprzez przyłożenie impulsu wysokiego napięcia. Każdy ze stanów jest stabilny, nawet długo po zaniknięciu impulsu.

Pomimo że tranzystory FeFET (Ferroelectric Field Effect Transistor) zostały wynalezione już wcześniej, uniwersytet Groningen / Philips Research twierdzi ze są oni pierwsi jeżeli chodzi o produkcję urządzeń z krótkim czasem programowania, długim czasem podtrzymania i dużą ilością cykli programowania, oraz wytwarzanych przy użyciu technologii nisko-temperaturowych i nisko-budżetowych.

„Jednym z większych dokonanych przez nas przełomów było znalezienie sposobu na położenie kolejnych warstw materiału tak, aby efekt ferroelektryczny nie był maskowany przez inne efekty takie jak pułapkowanie ładunku (charge trapping) w warstwie pomiędzy ferroelektrykiem i półprzewodnikiem lub przez zanieczyszczenia.” stwierdził Ronald Naber z Uniwersytetu Groningen.

Wszystkie napięcia jakich wymaga układ, takie jak napięcie programujące i to wymagane do odczytu, mieszczą się w limitach RFID i mogą być zmniejszane razem ze zmniejszaniem rozmiaru tranzystorów.

Ważną cechą procesu produkcyjnego jest to, że warstwa ferroelektryczna, tak samo jak inne warstwy, może być wytwarzana w procesach spin-coating oraz drukowania. Niskie temperatury tych procesów umożliwiają produkcję tych pamięci na elastycznych podłożach takich jak tani plastik.